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我們的實(shí)驗室主要生產(chǎn)和銷(xiāo)售用于光學(xué)薄膜形成的真空蒸發(fā)材料。
我們提供各種材料來(lái)形成防反射膜，濾光片，透明導電膜，保護膜等。
該產(chǎn)品通過(guò)利用無(wú)機材料的粉末燒結技術(shù)來(lái)抑制氣相沉積過(guò)程中飛濺和廢氣的產(chǎn)生。
■材料形狀
顆粒型φ5-90mm等，顆粒型0.5-1.5mm，1-3mm，長(cháng)型，其他特殊形狀（拱形）
 |  |  |  |  |
| 顆粒 | 顆粒 | 顆粒（脫氣型） | 顆粒 （長(cháng)型） | 拱 |
■氣相沉積法
電子束（EB），離子束，電阻加熱，激光燒蝕等。
| 沒(méi)有。 | 產(chǎn)品名稱(chēng)（氧化物） | 沒(méi)有。 | 產(chǎn)品名稱(chēng)（氧化物） |
| 1個(gè) | Al2O3（氧化鋁-氧化鋁） | 13 | SnO2（氧化錫） |
| 2 | CeO2（氧化鈰） | 14 | Ta2O5（五氧化二鉭） |
| 3 | Cr2O3（氧化鉻） | 15 | Ti3O5（五氧化鈦） |
| 四個(gè) | Fe2O3（氧化鐵） | 16 | TiO（一氧化鈦） |
| 五 | Ga2O3（氧化鎵） | 17 | TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦） |
| 6 | HfO2（氧化ha-氧化f） | 18歲 | WO3（氧化鎢） |
| 7 | ITO（In2O3 + SnO2） | 19 | Y2O3（氧化釔-氧化釔） |
| 8 | MgO（氧化鎂-氧化鎂） | 20 | Yb2O3（氧化y） |
| 9 | Nb2O5（五氧化二鈮） | 二十一 | ZnO（氧化鋅） |
| 十 | NiO（氧化鎳） | 二十二 | ZrO2（氧化鋯-氧化鋯） |
| 11 | SiO（一氧化硅） | 二十三 | ZRT2（ZrO2 + TiO2） |
| 12 | SiO2（氧化硅） |
| 沒(méi)有。 | 產(chǎn)品名稱(chēng)（氟化物） | 沒(méi)有。 | 產(chǎn)品名稱(chēng)（氟化物） |
| 二十四 | AlF3（氟化鋁） | 31 | LiF（氟化鋰） |
| 二十五 | BaF2（氟化鋇） | 32 | MgF2（氟化鎂） |
| 26 | BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔） | 33 | NaF（氟化鈉） |
| 27 | CaF2（氟化鈣） | 34 | NdF3（氟化釹） |
| 28 | CeF3（氟化鈰） | 35 | SmF3（氟化mar） |
| 29 | GdF3（氟化ga） | 36 | YbF3（氟化tter） |
| 30 | LaF3（氟化鑭） | 37 | YF3（氟化釔） |
| 沒(méi)有。 | 產(chǎn)品名稱(chēng)（硫化物） | 沒(méi)有。 | 產(chǎn)品名稱(chēng)（硫化物） |
| 38 | 硫化鋅 |
| 沒(méi)有。 | 產(chǎn)品名稱(chēng)（氮化物） | 沒(méi)有。 | 產(chǎn)品名稱(chēng)（氮化物） |
| 39 | AlN（氮化鋁） | 41 | TiN（氮化鈦） |
| 40 | Si3N4（氮化硅） |
| 1號 | 膜 /材料特性 | |
 | Al2O3（氧化鋁-氧化鋁） | |
| 膜特性 [折射率] 1.63（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.2至8μm [蒸發(fā)方法] EB | 物性 [理論密度] 4.0g / cm 3 [熔點(diǎn)] 2046℃[沸點(diǎn)] 2980℃ [物質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：難溶 | |
| 2號 | 膜 /材料特性 | |
 | CeO2（氧化鈰） | |
| 膜特性 [折射率] 2.2（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.4-16μm [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 物性 [理論密度] 7.3 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1950°C [沸點(diǎn)]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）： 不溶于酸不溶于HCl，H 2溶于 SO 4和HNO 3 | |
| 3號 | 膜 /材料特性 | |
 | Cr2O3（氧化鉻） | |
| 薄膜特性 [折射率] 2.24-i0.07（約700 nm） [ 工作波長(cháng)范圍] 1.2至10μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料性能 [理論密度] 5.21 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 2435°C [沸點(diǎn)] 4000°C [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶 | |
| 4號 | 膜 /材料特性 | |
 | Fe2O3（氧化鐵） | |
| 膜特性 [折射率] 3.0（ 550nm 左右）[工作波長(cháng)范圍]0.8?? [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 物性 [理論密度] 5.24 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1,565°C [沸點(diǎn)]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)藥品性：可溶于鹽酸和硫酸 | |
| 5號 | 膜 /材料特性 | |
 | Ga2O3（氧化鎵） | |
| 膜特性 [折射率] 1.45（約550 nm） [波長(cháng)范圍]- [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 材料性能 [理論密度] 5.95 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1900°C [沸點(diǎn)]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶 | |
| 6號 | 膜 /材料特性 | |
 | HfO2（氧化ha-氧化f） | |
| 膜特性 [折射率] 1.95（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.23至12μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料性能 [理論密度] 9.68 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 2810°C [沸點(diǎn)] 5400°C [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶 | |
| 7號 | 膜 /材料特性 | |
 | ITO（In2O3 + SnO2） | |
| 膜特性 [折射率] 2.06-i0.016（近500 nm） [ 工作波長(cháng)范圍] 0.4至1μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料特性 [產(chǎn)品密度]- [熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]-[ 材料 ] In2O3 = 可溶性（酸：無(wú)定形），不溶（水（酸：結晶）） 三角體系：850℃（揮發(fā)性） SnO2 =熔點(diǎn)：1630°C，沸點(diǎn)：180-1900°C（升華） 可溶性（KOH，NaOH），不溶（水，王水） | |
| 8號 | 膜 /材料特性 | |
 | MgO（氧化鎂-氧化鎂） | |
| 薄膜特性 [折射率] 1.74（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.23至9μm [蒸發(fā)方法] EB | 物性 [理論密度] 3.58 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 2800°C [沸點(diǎn)] 3600°C [性能]○水溶性：－○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶 | |
| 9號 | 膜 /材料特性 | |
 | Nb2O5（五氧化二鈮） | |
| 膜特性 [折射率] 2.33（約500 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.32至8μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料性能 [理論密度] 4.47 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1520°C [沸點(diǎn)]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：氫fu酸，可溶于堿 | |
| 10號 | 膜 /材料特性 | |
 | NiO（氧化鎳） | |
| 膜特性 [折射率]- [波長(cháng)范圍]- [蒸發(fā)方法] EB | 物性 [理論密度] 6.82 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1955°C [沸點(diǎn)]- [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于鹽酸 | |
| 11號 | 膜 /材料特性 | |
 | SiO（一氧化硅） | |
| 膜特性 [折射率] 1.9（ 550nm 附近）[工作波長(cháng)范圍] 0.55?8? [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 物性 [理論密度] 2.24 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1,700°C以下[沸點(diǎn)]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性：可溶于鹽酸和硫酸 | |
| 12號 | 膜 /材料特性 | |
 | SiO2（氧化硅） | |
| 膜特性 [折射率] 1.46（近500 nm） [ 工作波長(cháng)范圍] 0.16-8μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料性能 [理論密度] 2.20 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1500°C [沸點(diǎn)] 2230°C [ 材料 ]○水溶性：不溶，不溶于酸，堿 | |
| 13號 | 膜 /材料特性 | |
 | SnO2（氧化錫） | |
| 膜特性 [折射率] 2.0（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.4?1.5? [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 材料特性 [理論密度] 6.95 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1,565°C [沸點(diǎn)]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性：可溶于鹽酸和硫酸 | |
| 14號 | 膜 /材料特性 | |
 | Ta2O5（五氧化二鉭） | |
| 膜特性 [折射率] 2.16（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.35至10μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料性能 [理論密度] 8.73 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1468°C [沸點(diǎn)]- [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：氫fu酸，可溶于堿 | |
| 15號 | 膜 /材料特性 | |
 | Ti3O5（五氧化鈦） | |
| 膜特性 [折射率] 2.3至2.55（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.35至12μm [蒸發(fā)方法] EB | 物性 [理論密度]- [熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]- [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于稀硫酸/稀鹽酸 | |
| 16號 | 膜 /材料特性 | |
 | TiO（一氧化鈦） | |
| 膜特性 [折射率] 2.3至2.55（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.35至12μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料性能 [理論密度] 4.93 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1750°C [沸點(diǎn)] 3000°C [材料]○水溶性：－○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于稀硫酸/稀鹽酸 | |
| 17號 | 膜 /材料特性 | |
 | TiO2（二氧化鈦-二氧化鈦） | |
| 膜特性 [折射率] 2.3至2.55（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.35至12μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料性能 [理論密度] 4.26 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1850°C [沸點(diǎn)] 3000°C [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于硫酸和堿 | |
| 18號 | 膜 /材料特性 | |
 | WO3（氧化鎢） | |
| 膜特性 [折射率] 2.2（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.4μm? [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 物性 [理論密度] 7.15 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1473°C [沸點(diǎn)]- [性質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于堿性水溶液 | |
| 19號 | 膜 /材料特性 | |
 | Y2O3（氧化釔-氧化釔） | |
| 膜特性 [折射率] 1.87（約550 nm） [ 工作波長(cháng)范圍] 0.25至2μm [蒸發(fā)方法] EB | 物性 [理論密度] 5.03 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 2410℃[沸點(diǎn)] 4300℃ [性能]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：溶于酸，不溶于堿 | |
| 20號 | 膜 /材料特性 | |
 | Yb2O3（氧化y） | |
| 膜特性 [折射率] 1.75（ 550nm 附近）[工作波長(cháng)范圍]0.28?? [蒸發(fā)方法] EB | 材料特性 [理論密度] 9.2 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1,127°C [沸點(diǎn)] 1,850°C [ 材料 ]○水溶性：不溶 | |
| 21號 | 膜 /材料特性 | |
 | ZnO（氧化鋅） | |
| 膜特性 [折射率] 2.1（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.35至20μm [蒸發(fā)方法] EB | 物性 [理論密度] 5.47 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1975°C [沸點(diǎn)]- [性能]○水溶性：微溶性○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶 | |
| 22號 | 膜 /材料特性 | |
 | ZrO2（氧化鋯-氧化鋯） | |
| 膜特性 [折射率] 2.05（約550 nm） [ 工作波長(cháng)范圍] 0.3至8μm [蒸發(fā)方法] EB | 物性 [理論密度] 5.56g / cm 3 [熔點(diǎn)] 2677℃[沸點(diǎn)] 4548℃ [性質(zhì)]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：可溶于硫酸，氫fu酸 | |
| 23號 | 膜 /材料特性 | |
 | ZRT2（ZrO2 + TiO2） | |
| 膜特性 [折射率] 2.10（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.3到7μm [蒸發(fā)方法] EB | 材料特性 [理論密度]- [熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]-[ 材料 ]- | |
| 24號 | 膜 /材料特性 | |
 | AlF3（氟化鋁） | |
| 膜特性 [折射率] 1.38（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.22至12μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB | 材料特性 [理論密度] 2.88 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1040°C [沸點(diǎn)] 1260°C（升華） [ 材料 ]○水溶性：可溶 | |
| 25號 | 膜 /材料特性 | |
 | BaF2（氟化鋇） | |
| 膜特性 [折射率] 1.48（約 550nm ）[工作波長(cháng)范圍] 0.25?15E [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB | 材料特性 [理論密度] 4.87g / cm 3（20℃） [熔點(diǎn)] 1,287℃[沸點(diǎn)] 1,287℃[ 材料 ]○水溶性：0.16g / 100g 20℃ | |
| 26號 | 膜 /材料特性 | |
 | BaF2 + YF3（氟化鋇+氟化釔） | |
| 薄膜特性 [折射率]- [波長(cháng)范圍]- [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB | 材料特性 [理論密度]- [熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]- [性質(zhì)]- | |
| 27號 | 膜 /材料特性 | |
 | CaF2（氟化鈣） | |
| 膜特性 [折射率] 1.23至1.45（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.15至12μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱 | 材料特性 [理論密度] 3.18 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1418°C [沸點(diǎn)] 2500°C [材料]○水溶性：水18°C 0.0016g / 100g，微溶（稀無(wú)機酸），不溶：乙酸 | |
| 28號 | 膜 /材料特性 | |
 | CeF3（氟化鈰） | |
| 薄膜特性 [折射率] 1.63（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.3至12μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱，電子束 | 材料性能 [理論密度] 5.8 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1324°C [沸點(diǎn)] 1360°C [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶于酸 | |
| 29號 | 膜 /材料特性 | |
 | GdF3（氟化ga） | |
| 膜特性 [折射率] 1.59（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.28μm? [蒸發(fā)方法]電阻加熱 | 材料特性 [理論密度]- [熔點(diǎn)] 1231℃[沸點(diǎn)] 2277℃ [ 材料 ]不溶（水） | |
| 30號 | 膜 /材料特性 | |
 | LaF3（氟化鑭） | |
| 薄膜特性 [折射率] 1.59（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.22至14μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB | 材料性能 [理論密度] 5.9 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1490°C [沸點(diǎn)] 2300°C [材料]○水溶性：不溶○耐化學(xué)性（酸，堿）：不溶于酸 | |
| 31號 | 膜 /材料特性 | |
 | LiF（氟化鋰） | |
| 膜特性 [折射率] 1.3（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.11至8μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱 | 物性 [理論密度] 2.64 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 842°C [沸點(diǎn)] 1680°C [ 材料 ]○水溶性：微溶可溶性：氫fu酸 | |
| 32號 | 膜 /材料特性 | |
 | MgF2（氟化鎂） | |
| 膜特性 [折射率] 1.38至1.4（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.13至10μm [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 材料性能 [理論密度] 3.2 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1248°C [沸點(diǎn)] 2260°C [材料]○水溶性：微溶和可溶（NHO3） | |
| 33號 | 膜 /材料特性 | |
 | NaF（氟化鈉） | |
| 膜特性 [折射率] 1.34（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.13至15μm [蒸發(fā)方法]電阻加熱 | 材料特性 [理論密度] 2.78 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 988°C [沸點(diǎn)] 1704°C [ 材料 ]可溶性（水，氫fu酸） | |
| 34號 | 膜 /材料特性 | |
 | NdF3（氟化釹） | |
| 膜特性 [折射率] 1.61（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.17至12μm [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 材料特性 [理論密度] 6.5 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1374°C [沸點(diǎn)] 2327°C [ 材料 ]- | |
| 35號 | 膜 /材料特性 | |
 | SmF3（氟化mar） | |
| 膜特性 [折射率]- [使用的波長(cháng)范圍]- [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 材料性能 [理論密度] 6.5 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1306°C。[沸點(diǎn)] 2427°C。 [自然]可溶性（硫酸鹽），不溶（水） | |
| 36號 | 膜 /材料特性 | |
 | YbF3（氟化tter） | |
| 膜特性 [折射率] 1.5（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.22-12μm [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 材料特性 [理論密度] 8.2g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1157℃[沸點(diǎn)] 2230℃ [ 材料 ]- | |
| 37號 | 膜 /材料特性 | |
 | YF3（氟化釔） | |
| 膜特性 [折射率] 1.5（550 nm附近） [工作波長(cháng)范圍] 0.2-14μm [蒸發(fā)方法] EB，電阻加熱 | 材料性能 [理論密度] 5.07 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1152°C [沸點(diǎn)] 2230°C [ 材料 ]不溶（水），分解（濃酸） | |
| 38號 | 膜 /材料特性 | |
 | 硫化鋅 | |
| 膜特性 [折射率] 2.35（約550 nm） [工作波長(cháng)范圍] 0.38?1.4? [蒸發(fā)方法]電阻加熱，EB | 物性 [理論密度] 4.06 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 1,850℃[沸點(diǎn)]- [ 材料 ]○水溶性：不溶 | |
| 39號 | 膜 /材料特性 | |
 | AlN（氮化鋁） | |
| 膜特性 [折射率] 1.9-2.2（630 nm附近） [工作波長(cháng)范圍]0.3??IR [蒸發(fā)方法] EB | 材料性能 [理論密度] 3.25 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 3,000°C [沸點(diǎn)]- [ 材料 ]○水溶性：與水反應（生成氨） | |
| 40號 | 膜 /材料特性 | |
 | Si3N4（氮化硅） | |
| 膜特性 [折射率] 1.72（約1,500?） [ 工作波長(cháng)范圍]0.25-9? [蒸發(fā)方法] EB | 材料特性 [理論密度] 3.18 g / cm 3 [熔點(diǎn)]-[沸點(diǎn)]-[ 材料 ]○水溶性：不溶 | |
| 41號 | 膜 /材料特性 | |
 | TiN（氮化鈦） | |
| 膜特性 [折射率] 1.39-i2.84（650 nm附近） [ 工作波長(cháng)范圍]- [蒸發(fā)方法] EB | 物性 [理論密度] 5.44 g / cm 3 [熔點(diǎn)] 2,980°C。[沸點(diǎn)]以上 [性質(zhì)]○可溶：不溶 | |
